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  • 型号: BF 799 E6327
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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BF 799 E6327产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR NPN RF 20V SOT-23两极晶体管 - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Infineon Technologies BF 799 E6327-

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/bf799.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011425e83da705d9

产品型号

BF 799 E6327

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

40 @ 20mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

PG-SOT23-3

其它名称

BF 799 E6327CT

功率-最大值

280mW

包装

剪切带 (CT)

发射极-基极电压VEBO

3 V

商标

Infineon Technologies

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

3dB @ 100MHz

增益

-

增益带宽产品fT

1100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

280 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.035 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

35mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

35 at 5 mA at 10 V, 40 at 20 mA at 10 V

系列

BF799

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

20 V

集电极—基极电压VCBO

30 V

集电极连续电流

0.035 A

零件号别名

BF799E6327HTSA1 SP000010973

频率-跃迁

800MHz

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